鉆研8年換來集成電路突破 中科院院士帶領(lǐng)上百名專家打破西方封鎖

我國中科院院士王陽元曾和同事鉆研 8 年從此換來中國集成電路的突破，后又帶領(lǐng)上百名專家一舉打破西方封鎖(1975 年中國成為繼美日之后的第三個擁有 1024bit MOS 動態(tài)存儲器的國家)。

沒有設(shè)備和技術(shù)，就靠實(shí)踐學(xué)習(xí)，每個人都為這個奉獻(xiàn)力量;人等片子，芯片到人到，不管幾點(diǎn)，立刻開工沒有任何怨言。

正如 86 歲的他用一生踐行在入黨申請書寫下的初心：“人活著，應(yīng)當(dāng)使人民感到有益!”。談及此事，他還喊出了“生逢盛世，肩負(fù)重任，我沒有虛度年華”“科學(xué)無國界，但科學(xué)家有祖國”的偉大口號。

IT之家了解到，王陽元生于 1935 年 1 月 1 日的浙江寧波，是我國微納電子科學(xué)家、教育家，中國科學(xué)院院士，北京大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，北京大學(xué)微電子學(xué)研究院院長，北京大學(xué)微電子學(xué)系主任。

他于 1958 年從北京大學(xué)物理系畢業(yè)，1986 年擔(dān)任北京大學(xué)微電子學(xué)研究所所長，1995 年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士，成功主持并參與研究了硅柵 N 溝道技術(shù)和中國第一塊 1024 位 MOS DRAM(MOS：金屬氧化物半導(dǎo)體)的研發(fā)，推動 MOS 集成電路技術(shù)的發(fā)展。

此外，他還在國際上提出了多晶硅薄膜氧化動力學(xué)新模型和應(yīng)用方程以及與同事合作提出了 MOS 絕緣層中可動離子和電荷陷阱新的測量方法，率先開發(fā)成功多晶硅發(fā)射極超高速集成電路技術(shù)，推動中國雙極集成電路技術(shù)發(fā)展。

他還創(chuàng)建了 SOI(絕緣襯底上的硅 Silicon-On-Insulator)新器件研究室等機(jī)構(gòu)，主持建設(shè)了中國第一個國家級微米/納米加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。在 SOI 新器件與電路和 MEMS 系統(tǒng)等領(lǐng)域均有重大建樹。

關(guān)鍵詞： 集成電路 中科院 院士 西方封鎖