長江存儲下半年量產(chǎn)首個國產(chǎn)閃存？鬧烏龍了，三年前就有

今天有多家媒體報道稱長江存儲CTO程衛(wèi)華宣布首個國產(chǎn)NAND芯片在2020年下半年上市，這個消息莫名其妙，實際上是媒體報道有誤，首個國產(chǎn)閃存2017年就問世了。

有媒體報道長江存儲CTO的表態(tài)，這是錯誤的

國產(chǎn)閃存的發(fā)展牽動人心，這方面國內(nèi)主要的力量就是長江存儲，他們這4年來從無到有研發(fā)出了國產(chǎn)閃存，最近已經(jīng)有不少基于長江存儲的國產(chǎn)閃存的SSD硬盤上市，使用的就是長江存儲的64層3D TLC閃存。

所以了解過一點長江存儲的讀者應(yīng)該看得出來，CTO程衛(wèi)華不可能在SEMICON China2020作出這樣的表態(tài)，實際上中國首款32層3D NAND閃存芯片于2017年11月CCTV2對話欄目首次亮相，于2018年量產(chǎn)。

長江存儲CTO程衛(wèi)華27日確實在SEMICON China2020上發(fā)表了演講，他提到是“長江存儲系統(tǒng)級解決方案將自2020年下半年起陸續(xù)量產(chǎn)，其中包括SSD、eMMC、UFS等。”，并沒有首款國產(chǎn)閃存下半年上市的內(nèi)容。

總之，在國產(chǎn)閃存下半年上市這個報道上，部分媒體烏龍了，而且有違常識，首款國產(chǎn)閃存已經(jīng)問世3年了，而且不斷迭代，從32層到64層，今年4月份長江存儲還宣布了128層堆棧的QLC閃存X2-6070，這是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

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