西數(shù)：將在1XX層時(shí)代爆發(fā) 要做QLC閃存領(lǐng)導(dǎo)者

如同HDD硬盤中的SMR技術(shù)一樣，QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢(shì)，究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差，但是現(xiàn)在的價(jià)格還沒有達(dá)到預(yù)期。對(duì)廠商來(lái)說(shuō)，六大原廠今年都量產(chǎn)了QLC閃存，不過(guò)西數(shù)認(rèn)為QLC閃存要到1XX層時(shí)才會(huì)爆發(fā)。

在參加富國(guó)銀行年度技術(shù)峰會(huì)的時(shí)候，西數(shù)技術(shù)與戰(zhàn)略總裁Siva Sivaram回答了分析師提問，在回應(yīng)如何看待QLC閃存的問題時(shí)，Siva Sivaram表示西數(shù)傳統(tǒng)上一直是先進(jìn)閃存技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，首發(fā)了MLC及TLC閃存。

西數(shù)認(rèn)為在升級(jí)到1XX層之后，QLC閃存就會(huì)變得更加重要了，而西數(shù)要做QLC閃存的領(lǐng)導(dǎo)者

對(duì)于QLC閃存，Siva Sivaram表示它正處于一個(gè)微妙的點(diǎn)，因?yàn)橄啾刃乱淮鶷LC閃存它的收益不是那么大，不過(guò)。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，西數(shù)認(rèn)為目前96層堆棧的QLC閃存相比TLC閃存沒多少優(yōu)勢(shì)，無(wú)法發(fā)揮出成本及容量上的優(yōu)點(diǎn)，要等到堆棧層數(shù)更多，達(dá)到1XX層(通常是指128層)之后才會(huì)顯示出優(yōu)勢(shì)。

西數(shù)現(xiàn)在有消費(fèi)級(jí)QLC閃存，也有針對(duì)企業(yè)級(jí)的QLC閃存，在他們看來(lái)QLC閃存更適合企業(yè)級(jí)用戶——這個(gè)也不意外，實(shí)際上QLC閃存首發(fā)就是針對(duì)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的，其大容量低成本的優(yōu)勢(shì)適合替代HDD硬盤而非MLC、TLC閃存硬盤。

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