SK海力士正研發(fā)HBM3高速內(nèi)存 單顆芯片最大帶寬達665GB/s

韓國芯片廠商 SK 海力士目前正在開發(fā)下一代 HBM3 高速內(nèi)存，是 HBM2e 的升級版。這種芯片將應(yīng)用于高性能計算機、AI 計算卡、專業(yè)圖形顯卡等產(chǎn)品上，進一步提高運算速度。

海力士表示，HBM3 內(nèi)存芯片采用 3D 堆疊式設(shè)計，單顆芯片最大帶寬 665GB/s，相比上一代提升達 44%。如果一顆處理器配備四顆 HBM3 芯片，則內(nèi)存位寬可達 4096bit，總帶寬 2.66TB/s。

IT之家了解到，現(xiàn)有的 AMD、英偉達計算加速卡配備 HBM2 或 HBM2e 顯存，芯片封裝在運算核心旁。這類加速卡用于數(shù)據(jù)中心、超級計算機，此前也有 AMD RX Vega 64 游戲顯卡用到了 HBM 2 顯存。

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