繼嘉合勁威、朗科、英睿達(dá)等廠商之后,金士頓宣布制造出了該品牌首款 DDR5 內(nèi)存條,并且支持加壓超頻功能。官方表示,首批 DDR5 內(nèi)存條樣品已經(jīng)送至主板廠商進(jìn)行測(cè)試,包括華碩、微星、技嘉、華擎等。該系列內(nèi)存內(nèi)置 XMP 內(nèi)存超頻配置文件,同時(shí)可以由主板控制內(nèi)存條板載的供電電路(PMIC),使其超過(guò) DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的 1.1V。
金士頓表示,該品牌的 DDR5 內(nèi)存條預(yù)計(jì)將于2021 年第三季度發(fā)貨。外媒表示,支持超頻的內(nèi)存條預(yù)計(jì)會(huì)有更短的時(shí)序以及更高的頻率,未來(lái) DDR5 內(nèi)存的頻率有望超過(guò) 10000MHz。預(yù)計(jì)在今年,金士頓會(huì)推出 32GB、64GB、128GB 的內(nèi)存產(chǎn)品,速度為 4800MHz 或 5600MHz。
IT之家獲悉,外媒 TeamGroup 此前表示,DDR5 內(nèi)存在使用液氮散熱的條件下,可以將電壓提升至 2.6V。
根據(jù)此前的爆料消息,DDR5 內(nèi)存的性能有望提升至 DDR4 的兩倍,目前 DDR4 內(nèi)存的極限超頻頻率為 7GHz,因此新一代內(nèi)存超頻至 10GHz 將十分有可能。