已完成技術(shù)開發(fā),格芯將批量生產(chǎn)eMRAM芯片

發(fā)布時(shí)間:2020-02-28 17:31:10  |  來(lái)源:快科技  

據(jù)外媒報(bào)道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開發(fā),而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)。

eMRAM這種綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的新型非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù),寫入速度則數(shù)千倍于閃存,可以兼做內(nèi)存和硬盤,甚至統(tǒng)一兩者。同時(shí)很關(guān)鍵的是,它對(duì)制造工藝要求低,良品率也高得多,可以更好地控制成本,成品價(jià)格自然不會(huì)太離譜。

事實(shí)上,除了GlobalFoundries外,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究eMRAM。

GlobalFoundries表示,使用其22FDX和eMRAM工藝技術(shù)生產(chǎn)的測(cè)試芯片,在ECC關(guān)閉模式下,在-40°C到125°C的工作溫度下,具有10萬(wàn)個(gè)周期的耐久性和10年的數(shù)據(jù)保持能力。

此外,GlobalFoundries的eMRAM測(cè)試產(chǎn)品還可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試,包括LTOL(168小時(shí))、HTOL(500小時(shí))和5x焊料回流,故障率<1ppm,而生產(chǎn)中的的磁抗擾性問(wèn)題也得到了有效解決。

1萬(wàn)億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

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