美“半導(dǎo)體霸權(quán)”令日韓芯片業(yè)警惕,韓媒:韓企被逼在中美選邊站

發(fā)布時間:2023-03-04 07:45:08  |  來源:騰訊網(wǎng)  


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【環(huán)球時報駐韓國特約記者 張靜 環(huán)球時報特約記者 宋毅】“美國越來越顯露出半導(dǎo)體霸權(quán)的本色,韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于危機境地?!薄俄n國經(jīng)濟》3月1日報道稱,美國公開宣布到2030年要在半導(dǎo)體關(guān)鍵領(lǐng)域“找回全球霸權(quán)”,背后的原因是,如果美國半導(dǎo)體制造競爭力下降,隨之而來是未來在人工智能、超級計算機等尖端領(lǐng)域的競爭力下滑。有分析認為,美國政府正極力改變過去30年間“美國設(shè)計-韓國和臺灣地區(qū)制造”的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。為此,韓國半導(dǎo)體企業(yè)正陷入越來越深的苦惱。

報道稱,目前三星電子最尖端的動態(tài)存儲器和閃存生產(chǎn)線分別位于韓國京畿道華城、平澤和中國西安,SK海力士的存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施則主要集中于韓國京畿道利川、忠清北道清州、中國無錫和大連等。如果美國政府持續(xù)施壓,韓國半導(dǎo)體企業(yè)也不得不在美國設(shè)立工廠。美國政府對本國企業(yè)美光科技提供巨額補助提高其競爭力也引發(fā)外國企業(yè)憂慮,美光科技最近宣布將在紐約州投資1000億美元設(shè)立存儲半導(dǎo)體工廠。韓國半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)人士表示,隨著美國正式開始培育本國的半導(dǎo)體企業(yè),未來韓國半導(dǎo)體或?qū)⒚媾R艱難的競爭。

“韓國半導(dǎo)體企業(yè)被逼迫在美國補助金和中國投資之間選邊站”,韓國KBS電視臺3月1日的報道稱,按照美方的要求,如果想獲得美國的半導(dǎo)體工廠補助金就必須承諾不對華投資,鑒于美國和中國都是最重要的市場,韓國半導(dǎo)體陷入進退兩難的窘境。目前,中國已經(jīng)是三星電子和SK海力士最重要的生產(chǎn)地之一,如果按照美國政府的要求中斷中國工廠的后續(xù)投資和技術(shù)升級,那么韓國半導(dǎo)體企業(yè)的生產(chǎn)戰(zhàn)略也不可避免要進行重大調(diào)整。

韓聯(lián)社1日的報道稱,如果半導(dǎo)體出口管制是美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)與中國的強制脫鉤的“大棒”,財政補助則是引誘各國企業(yè)加入美國主導(dǎo)的全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重組的“胡蘿卜”。有分析認為,三星電子和SK海力士能從美國政府獲得多少補助金,已經(jīng)超越單純的經(jīng)濟角度,成為韓國多大程度上參與美國主導(dǎo)的對華半導(dǎo)體遏制的風向標。雖然是否申請美國政府半導(dǎo)體補助是由韓國企業(yè)決定的事情,但不得不考慮后續(xù)帶來的外交、安保風波。

在美國產(chǎn)業(yè)政策壓力面前,韓國企業(yè)難以抉擇,日本一些人士也心情忐忑。日本知名經(jīng)濟評論家加谷珪一3月2日在社交網(wǎng)絡(luò)上評論稱,“美國政府強烈要求日本參與對華半導(dǎo)體限制,日本政府正苦苦思索如何應(yīng)對。日本最大的貿(mào)易伙伴國是中國,若對華出口限制,將失去重要的出口目的地。安保和產(chǎn)業(yè)相互依存,強化對華包圍網(wǎng),日本產(chǎn)業(yè)今后會如何發(fā)展呢?”

在不久之前,日本、荷蘭與美國簽署了有關(guān)對華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制的協(xié)議,但協(xié)議本身的強迫性,以及中國龐大的市場規(guī)模,也使日本國內(nèi)出現(xiàn)一些質(zhì)疑的聲音,認為并不應(yīng)當為配合美國的政策而犧牲過多日企利益。

據(jù)日本《朝日新聞》報道,半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)東京威力科創(chuàng)發(fā)布的2022年10月至12月對華出口的半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額較去年7月至9月減少39%。除全球半導(dǎo)體需求低迷外,美國對華半導(dǎo)體出口限制是主要原因。今后日本一旦也采取對華半導(dǎo)體出口限制,那么將對日本半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)帶來直接影響。

據(jù)《朝日新聞》2月28日報道,由豐田等8家日本企業(yè)出資成立的日本半導(dǎo)體制造商Rapidus宣布,已選擇北海道千歲市作為其半導(dǎo)體工廠的建設(shè)地點。Rapidus的投資總額預(yù)計在5萬億日元,并計劃到2027年實現(xiàn)國產(chǎn)化生產(chǎn)2納米以下的新一代半導(dǎo)體。不難看出,日本希望重建在半導(dǎo)體領(lǐng)域的輝煌。

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