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近日,日本佐賀大學(xué)教授嘉數(shù)教授與精密零部件制造商日本Orbray合作開發(fā)出了用金剛石制成的功率半導(dǎo)體,并以1平方厘米875兆瓦(87.5萬千瓦)的功率運(yùn)行。
該功率半導(dǎo)體在已有的金剛石半導(dǎo)體中,輸出功率值為全球最高,在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。
與作為新一代功率半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)產(chǎn)品和氮化鎵(GaN)產(chǎn)品相比,金剛石半導(dǎo)體耐高電壓等性能更出色,電力損耗被認(rèn)為可減少到硅制產(chǎn)品的五萬分之一,同時(shí)耐熱性和抗輻射性也很強(qiáng),因而被稱為終極功率半導(dǎo)體”。
金剛石帶隙寬度高達(dá)5.5eV,遠(yuǎn)超氮化鎵、碳化硅等材料,載流子遷移率也是硅材料的3倍,在室溫下本征載流子濃度極低,且具備優(yōu)異的耐高溫屬性。
當(dāng)前,金剛石在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛,全球各國(guó)都在加緊金剛石在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研制工作,其中日本已成功研發(fā)超高純2英寸金剛石晶圓量產(chǎn)方法,其存儲(chǔ)能力相當(dāng)于10億張藍(lán)光光盤(約為2500萬TB)。
全球天然金剛石年產(chǎn)量約為1.5億克拉,而人造金剛石產(chǎn)量則超過200億克拉,其中95%產(chǎn)量來自于中國(guó)大陸。
出處:快科技
關(guān)鍵詞: 終極功率半導(dǎo)體獲突破性進(jìn)展金剛石有望成為終極半導(dǎo)體材料 第三代半導(dǎo)體