(相關(guān)資料圖)
被稱(chēng)為“終極功率半導(dǎo)體”、使用金剛石的電力控制用半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)取得進(jìn)展。日本佐賀大學(xué)教授嘉數(shù)教授與精密零部件制造商日本Orbray合作開(kāi)發(fā)出了用金剛石制成的功率半導(dǎo)體,并以1平方厘米875兆瓦的電力運(yùn)行。
在金剛石半導(dǎo)體中,輸出功率值為全球最高,在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。與作為新一代功率半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)產(chǎn)品和氮化鎵(GaN)產(chǎn)品相比,金剛石半導(dǎo)體耐高電壓等性能出色,電力損耗被認(rèn)為可減少到硅制產(chǎn)品的五萬(wàn)分之一。金剛石功率半導(dǎo)體的耐熱性和抗輻射性也很強(qiáng),到2050年前后,有望成為人造衛(wèi)星等所必需的構(gòu)件。
據(jù)財(cái)聯(lián)社主題庫(kù)顯示,相關(guān)上市公司中:
四方達(dá)控股子公司天璇半導(dǎo)體主要業(yè)務(wù)包括MPCVD設(shè)備、CVD金剛石等產(chǎn)品研制。
國(guó)機(jī)精工第三代半導(dǎo)體功率器件用超高導(dǎo)熱金剛石材料通過(guò)了客戶(hù)應(yīng)用測(cè)試。
關(guān)鍵詞: 金剛石半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展 未來(lái)有望走出實(shí)驗(yàn)室 第三代半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體