天天觀察：三星李在镕重返經(jīng)營一線：出席半導(dǎo)體研發(fā)園區(qū)動(dòng)工儀式

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中新網(wǎng)8月19日電 據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子副會(huì)長李在镕19日先后訪問其公司位于京畿道器興和華城的半導(dǎo)體廠，盤點(diǎn)半導(dǎo)體事務(wù)。這是李在镕獲特赦重返經(jīng)營一線后的第一個(gè)公開日程。

資料圖：三星電子副會(huì)長李在镕。

報(bào)道稱，李在镕當(dāng)天出席在京畿道器興園區(qū)舉行的下一代半導(dǎo)體研發(fā)(R&D)園區(qū)動(dòng)工儀式。該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米，將主管NAND閃存、晶圓代工等新技術(shù)研發(fā)。三星電子計(jì)劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元(約人民幣1030億元)。

三星電子相關(guān)人士表示，若建成具備尖端設(shè)備的研發(fā)中心，有望縮短新一代產(chǎn)品研發(fā)時(shí)間，提升半導(dǎo)體質(zhì)量。

動(dòng)工儀式結(jié)束后，李在镕還前往華城半導(dǎo)體廠與企業(yè)干部員工座談。他還在半導(dǎo)體研究所主持召開DS(半導(dǎo)體)部門社長團(tuán)隊(duì)會(huì)議，探討半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)問題、風(fēng)險(xiǎn)、下一代半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)進(jìn)展情況、提升技術(shù)競爭力等方案。

分析認(rèn)為，李在镕在獲赦復(fù)權(quán)后先視察半導(dǎo)體廠可能旨在盤點(diǎn)公司未來核心業(yè)務(wù)，不想辜負(fù)國民對其助力克服經(jīng)濟(jì)危機(jī)的期望。

（中國新聞網(wǎng)）

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