總投資10億，這個硅基氮化鎵功率器件項目成功封頂

5月18日，青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目”正式封頂，下一階段啟動建設潔凈室機電工程，計劃在今年10月開始搬入設備，今年內完成設備的安裝與調試。

Source：賽微電子

據了解，項目由濰坊市青州市與北京賽微電子股份有限公司（以下簡稱“賽微電子”）合作投建，總投資10億元，規(guī)劃最終形成總體產能60,000片/年，一期產能30,000片/年。

其中，聚能國際一期產能建設投資5億元，總規(guī)劃占地面積40畝，建筑總面積約為1.3萬平方米，其中生產凈化車間建筑面積約為1萬平方米。

賽微電子于2018年7月投資設立聚能創(chuàng)芯，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設計、開發(fā)。

2018年6月，投資設立聚能晶源，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發(fā)、生產。

作為公司GaN業(yè)務一級平臺公司，聚能創(chuàng)芯匯聚了業(yè)界領先團隊，擁有第三代半導體材料生長、工藝制造、器件設計等全產業(yè)鏈技術能力及儲備，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圓、GaN功率器件及應用方面已形成系列產品。（文：化合物半導體市場 Arely整理）

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