ASML將于今年開始為光刻機(jī)提供新型EUV防護(hù)膜 透光率可達(dá)90.6%

目前最前沿的手機(jī)、電腦芯片多使用 EUV 極紫外光進(jìn)行刻蝕，但是這種光線難以被反射和折射，制造過程中損耗率非常大。根據(jù)外媒 TheElec 消息，ASML 將于今年開始為光刻機(jī)提供新型 EUV 防護(hù)膜，透光率可達(dá) 90.6%，目前即將開始生產(chǎn)。

外媒表示，此種防護(hù)膜主要用于安裝在 EUV 光路和晶圓制造空間之間，用于防塵。此前的防護(hù)膜透光率僅有 78%，然而一片的價(jià)格高達(dá) 26000 美元(約 16.74 萬元人民幣)。三星和臺(tái)積電目前為了生產(chǎn)效率，沒有使用這種防護(hù)膜，盡管這會(huì)提高晶圓表面被污染的風(fēng)險(xiǎn)。這兩家代工廠此前表示，他們需要透光率超過 90% 的防護(hù)膜，才會(huì)考慮應(yīng)用到生產(chǎn)線上。

IT之家了解到，ASML 宣布此款 EUV 防護(hù)膜能夠承受 400W 的功率，將由日本廠商三井化學(xué)制造。

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