湖南大學物理與微電子科學學院劉淵教授團隊使用范德華金屬集成法，成功展示了超短溝道垂直場效應(yīng)晶體管原型器件，其有效溝道長度最短可小于 1 納米。
據(jù)報道，該研究成果為“后摩爾時代”半導體器件性能提升增添了希望。
IT之家了解到，日前，這一研究成果已發(fā)表在《自然?電子學》(Nature Electronics)雜志上。論文的第一作者為湖南大學物理與微電子科學學院博士生劉麗婷，劉淵教授為通訊作者。
湖南大學物理與微電子科學學院劉淵教授團隊使用范德華金屬集成法，成功展示了超短溝道垂直場效應(yīng)晶體管原型器件，其有效溝道長度最短可小于 1 納米。
據(jù)報道，該研究成果為“后摩爾時代”半導體器件性能提升增添了希望。
IT之家了解到，日前，這一研究成果已發(fā)表在《自然?電子學》(Nature Electronics)雜志上。論文的第一作者為湖南大學物理與微電子科學學院博士生劉麗婷，劉淵教授為通訊作者。
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