中科院物理所構(gòu)筑超快非易失浮柵存儲器件 實現(xiàn)納秒級讀寫時間

中國科學(xué)院院士、中科院物理研究所 / 北京凝聚態(tài)物理國家研究中心研究員高鴻鈞研究團(tuán)隊博士研究生吳良妹和副研究員鮑麗宏等，利用二維范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)的原子級銳利界面及增強(qiáng)的界面耦合特性，無須修改商用的器件結(jié)構(gòu)，首次構(gòu)筑了超快、非易失浮柵存儲器件，實現(xiàn)了其納秒級(~20 ns)的讀寫時間(商用閃存器件為百微秒)、極高的擦除 / 寫入比(~1010)和極長的存儲時間(10 年以上)。

據(jù)介紹，基于原子級銳利界面的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)超快浮柵存儲器具有和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(10 ns)相當(dāng)?shù)木幊趟俣?，同時具備非易失、大容量的存儲特性。對于發(fā)展未來高性能非易失存儲器具有重要意義，也為進(jìn)一步開發(fā)基于范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的高性能電子器件提供了一種創(chuàng)新思路。未來在應(yīng)用上的挑戰(zhàn)主要是高質(zhì)量、大面積 hBN 和二維原子晶體溝道材料的外延生長及其集成器件的構(gòu)筑。

相關(guān)研究成果以Atomically sharp interface enabled ultrahigh-speed, nonvolatile memory device為題，在線發(fā)表在Nature Nanotechnology上。

關(guān)鍵詞： 中科院 物理所 納秒 存儲